參數(shù)資料
型號(hào)： FCX705
廠商： Zetex Semiconductor
英文描述： 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： 120伏特高壓NPN硅達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
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代理商： FCX705
ISSUE 2 - AUGUST 2001
FCX705
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX .
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
V
(BR)CBO
-140
V
I
C
= -100 A
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
(BR)CEO
-120
V
I
C
= -10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-10
V
I
E
= -100 A
Collector Cut-Off Current
I
CBO
-100
-10
nA
μA
V
CB
= -10V
V
CB
= -120V
Tamb = 100°C
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
-0.1
μA
V
EB
= -8V
Collector Emitter Cut-Off Current
I
CES
-10
μA
V
CES
= -120V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
CE(sat)
-1.3
-2.5
V
V
I
C
= -1A, I
B
= -1mA*
I
C
= -2A, I
B
= -2mA*
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
-1.8
V
I
C
= -1A, I
B
= -1mA*
Base-Emitter Turn-On Voltage
V
BE(on)
-1.7
V
I
C
= -1A, V
CE
= -5V*
Static Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
3K
3K
3K
2K
30K
I
C
= -50mA, V
CE
= -5V*
I
C
= -500mA, V
= -5V*
I
C
= -1A, V
CE
= -5V*
I
C
= -2A, V
CE
= -5V*
Transition Frequency
f
T
160
MHz
I
= -100mA, V
CE
= -10V
f= 20MHz
Input Capacitance
C
ibo
90
pF
V
CB
= -500mV, f= 1MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
= -10V, f= 1MHz
Turn-On Time
t
(on)
0.6
μs
I
C
= -500mA, V
CE
= -10V
I
B1
=I
B2
= -0.5mA
Turn-Off Time
t
(off)
0.8
μs
I
C
= -500mA, V
CE
= -10V
I
B1
=I
B2
= -0.5mA
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
3
Nb. Spice parameter data is available upon request for this device.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCX705TA 120V NPN SILICON HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR
FCX717 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
FCX718 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
FD0200YR00AM DIAC
FD0200YR DIAC
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FCX718 制造商:DIODES 制造商全稱(chēng):Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR
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