參數(shù)資料
型號(hào)： FCX589
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
中文描述： 1000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 18K
代理商： FCX589
SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM
POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
%
PARTMARKING DETAIL –
P89
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
-50
V
Collector-Emitter Voltage
-30
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Base Current
-200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C).
PARAMETER
1
W
-65 to +150
°C
S YMBOL MIN.
MAX .
UNIT
CONDITIONS.
I
C
=-100
μ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
μ
A
V
CB
=-30V
V
CES
=-30V
Breakdown Voltages
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
CES
-50
V
-30
V
-5
V
Collector Cut-Off Current
-100
nA
Collector -Emitter Cut-Off
Current
-100
nA
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
V
CE(sat)
-100
nA
V
EB
=-4V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Collector-Emitter
S aturation Voltage
-0.35
-0.65
V
Base-Emitter
S aturation Voltage
V
BE(sat)
-1.2
V
Base-Emitter
Turn-on Voltage
V
BE(on)
-1.1
V
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
S tatic Forward Current Transfer
Ratio
h
FE
100
100
80
40
300
I
C
=-1mA, V
=-2V*
I
C
=-500mA, V
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
Transition Frequency
f
T
100
MHz
Output Capacitance
C
obo
15
pF
V
CB
=-10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical Characteristics graphs see FMMT549 datasheet
FCX589
C
B
C
E
3 - 91
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PDF描述
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