參數(shù)資料
型號： FCX5550
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-89
中文描述： 晶體管|晶體管| npn型| 140伏特五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|采用SOT - 89
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 56K
代理商： FCX5550
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FCX604 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
FD0230YR DIACs
FDAD-15SF RIBBON-CABLE LOW-PROFILE FD CONNECTORS
FDAD-25PF RIBBON-CABLE LOW-PROFILE FD CONNECTORS
FDED-25PF RIBBON-CABLE LOW-PROFILE FD CONNECTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FCX555TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FCX558 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
FCX558TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FCX589 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR
FCX589TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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