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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F3002 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | F3002 |
POUT VS PIN GRAPH
F3002
F3A 2 DICE CAPACITANCE
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
VDS IN VOLTS
Coss
Ciss
Crss
F3A 2 DCE IV
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDSIN VOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
F3A 2 DICE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
Vgs in Volts
I
Id
gM
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:w w w .polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION 1/12/98
Tolerance 0.XX +/- 0.01 0.XXX +/- 0.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| F3102 | A Major Advance in RTD Technology |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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