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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F25L008A-50DG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, PDIP8 |
| 封裝： | 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 21/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 374K |
| 代理商： | F25L008A-50DG |
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ES MT
Read-Electronic-Signature (RES)
The RES instruction can be used to read the 8-bit Electronic Signature of the device on the SO pin. The RES instruction can provide
access to the Electronic Signature of the device (except while an Erase, Program or WRSR cycle is in progress), Any ERS instruction
executed while an Erase, Program or WRSR cycle is in progress is no decoded, and has no effect on the cycle in progress.
F25L008A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.4
21/31
Publication Date
:
May. 2007
Figure 12 : Read-Electronic-Signature (RES)
CE
SCK
SI
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Bit7
MSB
MSB
HIGH IMPENANCE
SO
AB
MODE3
MODE1
10
11
12
13
14
Bit6
Bit5
Bit4
Bit3
Bit2
Bit1
Bit0
Status
Register Out
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F25L008A-50PAG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| F28F008SA-85 | 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY |
| F28F008SA-120 | 8-MBIT (1-MBIT x 8) FlashFileTM MEMORY |
| F28F010-90 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
| F28F010-120 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F25L008A-50PAG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8Mbit (1Mx8) 3V Only Serial Flash Memory |
| F25L008A-50PAIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:8Mbit (1Mx8) 3V Only Serial Flash Memory |
| F25L016A | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16Mbit (2Mx8) 3V Only Serial Flash Memory |
| F25L016A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16Mbit (2Mx8) 3V Only Serial Flash Memory |
| F25L016A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:16Mbit (2Mx8) 3V Only Serial Flash Memory |
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