參數(shù)資料
型號(hào)： F1518
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 65V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | RFMOD
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 65V的五（巴西）直| 3.2AI（四）| RFMOD
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： F1518
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PDF描述
F15A05K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 15A I(C) | MODULE-Q
F15A06GF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247
F15A10G TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247
F15A10K TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 15A I(C) | MODULE-Q
F15A12GF TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 15A I(C) | TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
F151A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:8-Input Multiplexer
F151K20Y5RL63J5R 功能描述:CAP CER 150PF 500V 10% RADIAL RoHS:是 類(lèi)別:電容器 >> 陶瓷 系列:F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類(lèi)型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
F151K20Y5RL6TJ5R 功能描述:CAP CER 150PF 500V 10% RADIAL RoHS:是 類(lèi)別:電容器 >> 陶瓷 系列:F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類(lèi)型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
F151K20Y5RL6UJ5R 功能描述:CAP CER 150PF 2KV 10% RADIAL RoHS:是 類(lèi)別:電容器 >> 陶瓷 系列:F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 系列:- 電容:1000pF 電壓 - 額定:50V 容差:±10% 溫度系數(shù):X7R 安裝類(lèi)型:表面貼裝，MLCC 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應(yīng)用:自動(dòng) 額定值:AEC-Q200 封裝/外殼:0805（2012 公制） 尺寸/尺寸:0.079" L x 0.047" W（2.00mm x 1.20mm） 高度 - 座高（最大）:- 厚度（最大）:- 引線間隔:- 特點(diǎn):- 包裝:帶卷 (TR) 引線型:-
F151K25S3NN63J5R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Ceramic disc capacitor class 1 1KV 150pF
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