參數(shù)資料
型號： F1427
廠商： Polyfet RF Devices
英文描述： PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
中文描述： 專利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 41K
代理商： F1427
POUT VS PIN GRAPH
F1427
F1E 6 DICE CAPACITANCE
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VDS IN VOLTS
Coss
Ciss
Crss
F1E6DCE IV
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDSINVOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
F1E 6 DICE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vgs in Volts
I
Id
gM
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION 1/12/98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
F1430 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1510 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F1516 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F151A 8-Input Multiplexer
F1520 PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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F1430 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
F14309-000 制造商:TE Connectivity 功能描述:202F221-770-0 - Bulk 制造商:TE Connectivity 功能描述:Heat Shrink Molded Boot ST NBCCS
F14360-000 制造商:TE Connectivity 功能描述:220A018-25-10-0 制造商:TE Connectivity 功能描述:220A018-25-10-0 - Bulk
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