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參數(shù)資料
| 型號： | F1410 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | F1410 |
POUT VS PIN GRAPH
F1410
F1E 6 DICE CAPACITANCE
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
VDS IN VOLTS
Coss
Ciss
Crss
F1E6DCE IV
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VDSINVOLTS
I
vg=2v
Vg=4v
Vg=6v
vg=8v
vg=10v
vg=12v
F1E 6 DICE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
100.00
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vgs in Volts
I
Id
gM
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F1415 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1427 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1430 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1510 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| F1516 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F14104-000 | 制造商:TE Connectivity 功能描述:Connector Accessories Kit 制造商:TE Connectivity 功能描述:DK-621-0437R-3S-CS2326 - Bulk |
| F14-10C | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:Fork Terminal 14-16AWG Bag |
| F14-10L | 制造商:3M Electronic Products Division 功能描述:Fork Terminal 14-16AWG Bag |
| F141106PR-S | 制造商:Platt Luggage 功能描述: |
| F141110A-B | 功能描述:汽車連接器 AK2 180DEGREE SRS 2147MM RoHS:否 制造商:Delphi (FCI Automotive) 產(chǎn)品: 系列: 位置數(shù)量: 型式: 安裝風格: 端接類型: 觸點電鍍: |
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