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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | F1002 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 專(zhuān)利金金屬化硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/2頁(yè) |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | F1002 |
F1002 POUT vs PIN Idq= 0.4A F=175 Mhz VDS = 28V
PIN IN WATTS
0
10
20
30
40
50
60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
10
11
12
13
14
15
16
17
18
POUT
GAIN
EFFICIENCY = 75%
POUT VS PIN GRAPH
F1002
F1B 2 DICE CAPACITANCE
VDS IN VOLTS
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
Crss
Coss
Ciss
F1B 2 DICE IV CURVE
Vds in Volts
0
2
4
6
8
10
12
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
F1B 2 DIE GM & ID vs VGS
Vgs in Volts
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
14
Gm
Id
POLYFET RF DEVICES
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
CAPACITANCE VS VOLTAGE
IV CURVE
ID AND GM VS VGS
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
REVISION
8/1/97
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| F100314 | 1MM MINI CARD GUIDE ASSEMBLY |
| F100322 | Low Power 9-Bit Buffer |
| F100324 | LOW POWER HEX TTL-TO-ECL TRANSLATOR |
| F100328 | Low Power Octal ECL/TTL Bi-Directional Translator with Latch |
| F100328D | Low Power Octal ECL/TTL Bi-Directional Translator with Latch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| F1003 | 制造商:Pass & Seymour/Legrand 功能描述:A/V MODULATOR 3 CHANNEL GF |
| F100302DCQB | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:Quint 2-input OR/NOR Gate |
| F100304 | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:LOW POWER QUINT AND / NAND GATE |
| F100314 | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:LOW POWER QUINT DIFFERENTIAL LINE RECEIVER |
| F100322 | 制造商:NSC 制造商全稱(chēng):National Semiconductor 功能描述:Low Power 9-Bit Buffer |
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