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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29DS160D-90RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 37/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 698K |
| 代理商： | ES29DS160D-90RTG |
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ESI
37
Rev. 1D January 5, 2006
ES29LV800D
Excel Semiconductor inc.
A
ddress
OE#
WE#
DQ6/DQ2
CE#
RY/BY#
Figure 23. Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
t
OEPH
t
DH
t
AHT
t
ASO
t
OEH
Valid Status
Valid Status
Valid Status
Valid Data
Valid Data
t
CEPH
t
AHT
t
AS
t
OE
(first read)
(second read)
(stops toggling)
NOTE :
VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
DQ6
WE#
Enter
Embedded
Erasing
DQ2
Enter
Suspend
Erase
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Erase
Complete
Figure 24. DQ2 vs. DQ6
NOTE :
DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
AC CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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