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參數(shù)資料
| 型號： | ES29DL160ET-90RTGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 34/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29DL160ET-90RTGI |
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ESI
34
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
A
ddress
OE#
WE#
DATA
2AAh
CE#
Vcc
RY/BY#
t
WC
Erase Command Sequence (last two cycles)
VA
SA
VA
t
AS
t
VCS
t
BUSY
t
WHWH2
In
Progress
Complete
55h
30h
t
WP
t
CS
t
WPH
t
RB
t
CH
Read Status Data
555h for chip erase
10h for chip erase
t
DS
t
DH
NOTES :
1. SA = sector address(for Sector Erase), VA = valid address for reading status data(see “Write Operation Status”).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 21. Chip/Sector Erase Operation Timings
AC CHARACTERISTICS
t
AH
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29DL160FT-70TGI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL320FB-12RTG | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160DB-80RTG | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160E-90RTG | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160E-90WC | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ES29DL160ET-90TGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160F-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160F-70RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160F-70WCI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29DL160FB-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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