參數(shù)資料
型號： ES29BDS400FB-70RWCI
廠商： 優(yōu)先(蘇州)半導體有限公司
英文描述： 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導扇區(qū)閃存
文件頁數(shù)： 31/51頁
文件大?。?/td> 697K
代理商： ES29BDS400FB-70RWCI
ES I
37
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
CE#
RESET#
RY/BY#
tRSP
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
tVIDR
Program or Erase Command Sequence
tVIDR
tRRB
VID
Vss,VIL,
or VIH
WE#
Parameter
Description
All Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
tRRB
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary Sector Unprotect
Min
4
us
AC CHARACTERISTICS
Table 13. Temporary Sector Unprotect
Note: Not 100% tested.
相關PDF資料
PDF描述
ES29BDS400FT-70RWCI 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES2BA 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
ES3250402ATL POWER/SIGNAL RELAY, 3PDT, MOMENTARY, 0.097A (COIL), 28VDC (COIL), 2716mW (COIL), 25A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), PANEL MOUNT
ES52K1C05N-20.000MTR TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz
ESAC25-04C 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
ES29BDS400FB-90TGI 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400FT-70RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400FT-70RWCI 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400FT-80TG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
ES29BDS400FT-90RTG 制造商:EXCELSEMI 制造商全稱:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
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