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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS400FB-12RTG |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 8Mbit（3米x 8/512K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 41/50頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 696K |
| 代理商： | ES29BDS400FB-12RTG |
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ESI
41
Rev. 0A January 5, 2006
ES29LV800E
Excel Semiconductor inc.
A
ddress
OE#
WE#
RESET#
CE#
RY/BY#
t
WC
Figure 27. Alternate CE# Controlled
Write(Erase/Program) Operation Timings
t
BUSY
DQ7#
t
AH
t
AS
t
WH
t
RH
t
WHWH1 or 2
t
WS
t
GHEL
A0 for program
55 for erase
DATA
D
OUT
PD for program
30 for sector erase
10 for chip erase
555 for program
2AA for erase
PD for program
SA for sector erase
555 for chip erase
PA
t
CP
t
CPH
t
DS
t
DH
NOTES :
1. Figure indicates last two bus cycles of a program or erase operation.
2. PA = program address, SA = sector address, PD = program data
3. DQ7# is the complement of the data written to the device. Dout is the data written to the device.
4. Waveforms are for the word mode.
AC CHARACTERISTICS
Data Polling
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