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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | ES29BDS160FT-70TGI |
| 廠商： | 優(yōu)先(蘇州)半導(dǎo)體有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引導(dǎo)扇區(qū)閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160FT-70TGI |
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ES I
29
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
AC CHARACTERISTICS
Table 9. Read-Only Operations
Parameter
Description
Test Setup
Speed Options
Unit
JEDEC Std.
70
90
tAVAV
tRC
Read Cycle Time(Note 1)
Min
70
90
ns
tAVQV
tACC
Address to Output Delay
CE#,OE#=VIL
Max
70
90
ns
tELQV
tCE
Chip Enable to Output Delay
OE#=VIL
Max
70
90
ns
tGLQV
tOE
Output Enable to Output Delay
Max
30
35
ns
tEHQZ
tDF
Chip Enable to Output High Z (Note 1)
Max
16
ns
tGHQZ
tDF
Output Enable to Output High Z (Note 1)
Max
16
ns
tAXQX
tOH
Output Hold Time From Addresses, CE# or OE#,
Whichever Occurs First
Min
0
ns
tOEH
Output Enable Hold
Time (Note 1)
Read
Min
0
ns
Toggle and Data# Polling
Min
10
ns
Note : 1. Not 100% tested
Address
OE#
WE#
OUTPUTS
tRC
Address Stable
High-Z
Output Valid
CE#
tOEH
tOH
tDF
RESET#
RY/BY#
0V
tACC
tRH
tCE
tOE
Figure 16. Read Operation Timings
High-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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