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參數(shù)資料
| 型號： | EN29LV640TT-70TI |
| 廠商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）閃存引導(dǎo)扇區(qū)閃存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件頁數(shù)： | 41/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 495K |
| 代理商： | EN29LV640TT-70TI |
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AC CHARACTERISTICS
Table 13. Write (Erase/Program) Operations
Parameter
Symbols
Description
This Data Sheet may be revised by subsequent versions 2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
EN29LV640T/B
Speed Options
JEDEC
Standard
-70
-90
Unit
t
B
AVAV
B
t
B
WC
B
Write Cycle Time
Min
70
90
ns
t
B
AVWL
B
t
B
AS
B
Address Setup Time
Min
0
0
ns
t
B
WLAX
B
t
B
AH
B
Address Hold Time
Min
45
40
ns
t
B
DVWH
B
t
B
DS
B
Data Setup Time
Min
30
40
ns
t
B
WHDX
B
t
B
DH
B
Data Hold Time
Min
0
0
ns
t
B
OES
B
Output Enable Setup Time
Min
0
0
ns
t
B
OEH
B
Output Enable Hold Time
during Toggle and DATA#
Polling
Read Recovery Time before
Write (OE# High to WE# Low)
CE# Setup Time
Min
10
20
ns
t
B
GHWL
t
B
ELWL
t
B
WHEH
t
B
WLWH
t
B
WHDL
B
t
B
GHWL
t
B
CS
t
B
CH
t
B
WP
t
B
WPH
B
Min
0
0
ns
B
B
Min
0
0
ns
B
B
CE# Hold Time
Min
0
0
ns
B
B
Write Pulse Width
Min
45
30
ns
B
B
Write Pulse Width High
Min
20
25
ns
Byte
Typ
8
8
t
B
WHW1
B
t
B
WHWH1
B
Programming
Operation
Word
Typ
8
8
μs
t
B
WHW1
B
t
B
WHWH1
B
Accelerated Programming
Operation
(Word AND Byte Mode)
Typ
7
5
μs
t
B
WHW2
B
t
B
WHWH2
B
Sector Erase Operation
Typ
0.5
0.5
s
t
B
WHW3
B
t
B
WHWH3
B
Chip Erase Operation
Typ
70
64
s
t
VHH
V
HH
Rise and Fall Time
Min
250
250
ns
t
B
VCS
B
Vcc Setup Time
Min
50
50
μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EN29LV640TT-70TIP | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
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| EN29LV640TT-90BCP | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
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參數(shù)描述 |
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| EN2-B1H1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:AUTOMOTIVE RELAYS (Twin, Single) Relays |
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