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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EN29LV640TB-90TC |
| 廠商： | Eon Silicon Solution Inc. |
| 英文描述： | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
| 中文描述： | 64兆位（8米× 8位/分x 16位）閃存引導(dǎo)扇區(qū)閃存，CMOS 3.0伏，只 |
| 文件頁數(shù)： | 40/53頁 |
| 文件大小： | 495K |
| 代理商： | EN29LV640TB-90TC |
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AC CHARACTERISTICS
Table 12. Read-only Operations Characteristics
Parameter
Symbols
Description
This Data Sheet may be revised by subsequent versions 2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw
or modifications due to changes in technical specifications.
Rev. B, Issue Date: 2007/05/16
EN29LV640T/B
Speed Options
JEDEC
Standard
Test
Setup
-70
-90
Unit
t
B
AVAV
B
t
B
RC
B
Read Cycle Time
Min
70
90
ns
t
B
AVQV
B
t
B
ACC
B
Address to Output Delay
CE# = V
B
IL
OE#
B
B
V
B
IL
B
=
B
B
Max
70
90
ns
t
B
ELQV
B
t
B
CE
B
Chip Enable To Output Delay
OE#
B
B
= V
B
IL
B
Max
70
90
ns
t
B
GLQV
B
t
B
OE
B
Output Enable to Output Delay
Max
30
35
ns
t
B
EHQZ
B
t
B
DF
B
Chip Enable to Output High Z
Max
20
20
ns
t
B
GHQZ
B
t
B
DF
B
Output Enable to Output High Z
Max
20
20
ns
t
B
AXQX
B
t
B
OH
B
Output Hold Time from
Addresses, CE# or OE#,
whichever occurs first
Min
0
0
ns
Read
Toggle and
Data# Polling
Min
0
0
ns
t
B
OEH
B
Output Enable
Hold Time
Min
10
10
ns
Notes:
For - 70
- 90
Vcc = 3.0V – 3.6V
Output Load: 1 TTL gate and 30pF
Input Rise and Fall Times: 5ns
Timing Measurement Reference Level, Input and Output: 1.5 V
Vcc = 2.7V – 3.6V
Output Load: 1 TTL gate and 100 pF
Input Rise and Fall Times: 5 ns
Input Pulse Levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing Measurement Reference Level, Input and Output: 1.5 V
Figure 3. AC Waveforms for READ Operations
Addresses
CE#
OE#
WE#
Outputs
RESET#
RY/BY#
0V
Output Valid
t
B
RC
B
t
B
ACC
t
B
OE
B
t
B
CE
B
t
B
OEH
B
t
B
OH
t
B
DF
HIGH Z
Addresses Stable
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EN29LV640TB-90TCP | 64 Megabit (8M x 8-bit / 4M x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 3.0 Volt-only |
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