參數(shù)資料
型號(hào)： EMZ6.8N
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： EMZ6.8N
中文描述： EMZ6.8N
文件頁數(shù)： 1/3頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： EMZ6.8N
EMZ6.8N
EMZ6.8N
Unit : mm
EMD3
Unit : mm
Ta=25
Symbol
P
Tj
Tstg
Unit
mW
Symbol
V
Z
I
R
Z
Z
Min.
6.47
-
-
Typ.
-
-
-
Max.
7.14
0.50
40
Unit
V
μA
Conditions
I
Z
=5mA
V
R
=3.5V
I
Z
=5mA
Parameter
(*1)2
150
-55
+150
Limits
150
Parameter
Rev.A 1/2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EMZ7 General purpose transistor(dual transistors)
EMZ8 Power management (dual transistors)
EN27LV020 2Megabit Low Voltage EPROM (256K x 8)
EN27LV020-120 2Megabit Low Voltage EPROM (256K x 8)
EN27LV020-150 2Megabit Low Voltage EPROM (256K x 8)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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EMZ7T2R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/PNP 12V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
EMZ8 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Power management (dual transistors)
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