FIGURE 25. OUTPUT SWING FIGURE 26. OUTPUT SWING FIGURE 27. ENABLED RESPONSES FIGURE 28. DISABLED RESPONSE FIGURE 29. PACKAGE POWER DISSIPATION v" />
參數(shù)資料
型號(hào): EL8302ISZ-T13
廠商: Intersil
文件頁(yè)數(shù): 13/14頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC AMP TRIPLE R-R 500MHZ 16-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 2,500
放大器類型: 電壓反饋
電路數(shù): 3
輸出類型: 滿擺幅
轉(zhuǎn)換速率: 600 V/µs
增益帶寬積: 200MHz
-3db帶寬: 500MHz
電流 - 輸入偏壓: 6µA
電壓 - 輸入偏移: 800µV
電流 - 電源: 5.6mA
電流 - 輸出 / 通道: 65mA
電壓 - 電源,單路/雙路(±): 3 V ~ 5 V,±1.5 V ~ 2.5 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 16-SOIC
包裝: 帶卷 (TR)
8
FIGURE 25. OUTPUT SWING
FIGURE 26. OUTPUT SWING
FIGURE 27. ENABLED RESPONSES
FIGURE 28. DISABLED RESPONSE
FIGURE 29. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 30. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
VS=5V, AV=5, RL=1k TO 2.5V
2s/DIV
0
2.5
5
VS=5V, AV=5, RL=1k TO 2.5V
2s/DIV
0
2.5
5
CH1, CH2, 1V/DIV, M=100ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
CH1, CH2, 0.5V/DIV, M=20ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
633mW
θ
JA =1
58°C
/W
QS
OP
16
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
θ
JA =
110
°C
/W
SO
16
(0.1
50”
)
909mW
893mW
θ
JA =1
12°C
/W
QS
OP
16
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IPATION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
1.250W
θ
JA =
80°
C/W
SO
16
(0.1
50”
)
EL8302
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EL8302IU 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 504 MHz RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流(最大值):10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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