參數資料
| 型號： | EL5411IRZ-T13 |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數： | 5/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OP AMP QUAD 60MHZ RR 14-TSSOP |
| 標準包裝： | 2,500 |
| 放大器類型： | 電壓反饋 |
| 電路數： | 4 |
| 輸出類型： | 滿擺幅 |
| 轉換速率： | 75 V/µs |
| 增益帶寬積： | 32MHz |
| -3db帶寬： | 60MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 2nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 3000µV |
| 電流 - 電源： | 10mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 65mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） |
| 供應商設備封裝： | 14-TSSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY (SINGLE LAYER) TEST BOARD
P
O
WER
DISSIP
A
TION
(W)
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
0.350
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
0
25
50
75
100
125
85
150
290mW
TSOT5
θ
JA = +345°C/W
FIGURE 33. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 34.
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY (4-LAYER) TEST BOARD
483mW
TSOT5
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
P
A
TI
ON
(W)
0
25
50
75
100
125
85
150
θJA = +207°C/W
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WE
R
DI
SSI
PATIO
N
(W)
85
486mW
θ
JA
=
+2
06
°C
/W
HM
SO
P8
0.5
FIGURE 35. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 36.
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WE
R
DI
SSI
PATIO
N
(W)
85
870mW
θ
JA
=
+1
15
°C
/W
HM
SO
P8
0.8
0.5
0.7
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
13
FN7119.7
May 7, 2007
Unused Amplifiers
It is recommended that any unused amplifiers in a dual and
a quad package be configured as a unity gain follower. The
inverting input should be directly connected to the output
and the non-inverting input tied to the ground plane.
Power Supply Bypassing and Printed Circuit
Board Layout
The EL5111, EL5211, and EL5411 can provide gain at high
frequency. As with any high-frequency device, good printed
circuit board layout is necessary for optimum performance.
Ground plane construction is highly recommended, lead
lengths should be as short as possible and the power supply
pins must be well bypassed to reduce the risk of oscillation.
For normal single supply operation, where the VS- pin is
connected to ground, a 0.1F ceramic capacitor should be
placed from VS+ to pin to VS- pin. A 4.7F tantalum
capacitor should then be connected in parallel, placed in the
region of the amplifier. One 4.7F capacitor may be used for
multiple devices. This same capacitor combination should be
placed at each supply pin to ground if split supplies are to be
used.
EL5111, EL5211, EL5411
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL5203IYZ | IC VFA SLEW DUAL 400MHZ 8-MSOP |
| 92634-172HLF | BERGSTIK II DR RIGHT ANGLE |
| 961234-5500-AR-TP | CONN HEADER R/A 34POS GOLD SMD |
| 208458160001049 | CONNECTOR RECEPT 160POS STR |
| EHF-108-01-L-D-SM | CONN HEADER .05" 16POS DUAL SMT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EL5411IRZ-T7 | 功能描述:運算放大器 - 運放 EL5411IRZ 30 MHZ QD R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
| EL5411T | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:60MHz Rail-to-Rail Input-Output Operational Amplifier |
| EL5411T_10 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:60MHz Rail-to-Rail Input-Output Operational Amplifier |
| EL5411TILZ | 功能描述:運算放大器 - 運放 EL5411TILZ 60MHZ R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
| EL5411TILZ-T13 | 功能描述:運算放大器 - 運放 EL5411TILZ 60MHZ R2R I/O OP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel |
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