FIGURE 13. PSRR (VEE) FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSI" />
參數(shù)資料
型號(hào)： EL5162ISZ-T13
廠商： Intersil
文件頁數(shù)： 15/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC AMP CFA SGL 500MHZ 8-SOIC
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 2,500
放大器類型： 電流反饋
電路數(shù)： 1
轉(zhuǎn)換速率： 4000 V/µs
-3db帶寬： 500MHz
電流 - 輸入偏壓： 2µA
電壓 - 輸入偏移： 1500µV
電流 - 電源： 1.5mA
電流 - 輸出 / 通道： 100mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 5 V ~ 12 V，±2.5 V ~ 6 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
包裝： 帶卷 (TR)
9
FN7388.10
January 4, 2008
FIGURE 13. PSRR (VEE)
FIGURE 14. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 15. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 16. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 17. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 18. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
1001k10k
FREQUENCY (Hz)
100k
1M
10M
100M
-30
-20
P
S
RR
(
d
B)
-50
-60
-70
-80
-40
-10
-90
0
VCC = +5V
VEE = -5V
AV = +2
RL = 150Ω
-100
1.250W
909mW
SO8
θJA = +110°C/W
SO16 (0.150”)
θJA = +80°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W
)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
893mW
QSOP16
θJA = +112°C/W
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.2
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.50
0.45
0.30
0.20
0.15
0.10
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA = +230°C/W
SOT23-5/6
0.40
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.0
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
85
870mW
θJA = +115°C/W
MSOP8/10
0.8
0.5
0.7
625mW
SO8
θJA = +160°C/W
SO16 (0.15 0”)
θJA = +110°C/W
1.0
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
909mW
EL5162, EL5163, EL5262, EL5263, EL5362
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TLC2274CNE4 IC OPAMP GP R-R 2.25MHZ 14DIP
ISL28117FUBZ IC OPAMP GP 1.5MHZ LP 8MSOP
ISL28117FRTBZ IC OPAMP GP 1.5MHZ LP 8TDFN
961242-6700-AR-PT CONN HEADER STR DL 42PS GOLD SMD
951242-2520-AR-PT CONN HEADER 42POS 2MM VERT SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EL5162ISZ-T7 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5162ISZ SINGLE 420 MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5162ISZ-T7A 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5162ISZ SINGLE 420 MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
EL5162IW-T7 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 500MHZ CURR FB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
EL5162IW-T7A 功能描述:運(yùn)算放大器 - 運(yùn)放 420 MHz w/ Enable RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補(bǔ)償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
EL5162IWZ-T7 功能描述:高速運(yùn)算放大器 EL5162IWZ SINGLE 420 MHZ CFAW ENABLE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 電壓增益 dB:116 dB 輸入補(bǔ)償電壓:0.5 mV 轉(zhuǎn)換速度:55 V/us 工作電源電壓:36 V 電源電流:7.5 mA 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
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