參數(shù)資料
型號(hào): EE-SJ8-B
廠商: Omron Electronics Inc-EMC Div
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大小: 87K
描述: SENSOR OPTO SLOT 8MM TRANS THRU
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 200
檢測(cè)距離: 0.315"(8mm)
檢測(cè)方法: 可傳導(dǎo)的
輸出配置: 光電晶體管
電流 - DC 正向(If): 50mA
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 20mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 30V
響應(yīng)時(shí)間: 4µs,4µs
安裝類(lèi)型: 通孔
封裝/外殼: PCB 安裝
包裝: 散裝
類(lèi)型: 無(wú)放大
工作溫度: -25°C ~ 85°C
其它名稱(chēng): EESJ8B
Photomicrosensor (Transmissive) EE-SJ8-B
279
I Engineering Data
Forward Current vs. Collector
Dissipation Temperature Rating
Forward Current vs. Forward
Voltage Characteristics (Typical)
Ambient temperature Ta (癈)
Forward voltage V
F
 (V)
60
50
40
30
20
10
0
40
20
0
20
40
60
80
100
150
100
50
0
PC
IF
60
50
40
30
20
10
0
0
0.2   0.4   0.6   0.8    1    1.2   1.4    1.6   1.8
Ta = 30癈
Ta = 25癈
Ta = 70癈
Light Current vs. Forward Current
Characteristics (Typical)
Light Current vs. CollectorEmitter
Voltage Characteristics (Typical)
Dark Current vs. Ambient
Temperature Characteristics
(Typical)
Distance d (mm)
Input
Output
Input
Output
90 %
10 %
Sensing Position Characteristics
(Typical)
Response Time Measurement
Circuit
Forward current I
F
 (mA)
CollectorEmitter voltage V
CE
 (V)
Ambient temperature Ta (癈)
Load resistance R
L
 (k&)
0
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
20
30
40
50
Ta = 25癈
V
CE
 = 10 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9    10
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
F
 = 40 mA
I
F
 = 30 mA
I
F
 = 20 mA
I
F
 = 10 mA
Ta = 25癈
I
F
 = 50 mA
120
110
100
90
80
70
60
40
20
0
20
40
60
80
100
I
F
 = 20 mA 
V
CE
 = 10 V
10,000
1,000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
30 20 10  0   10  20  30  40  50  60  70  80  90
V
CE
 = 10 V
0 lx
Ambient temperature Ta (癈)
  10,000
0.01
tr
tf
0.1
10
1
  1,000
  100
  10
  1
V
CC
 = 5 V
Ta = 25癈
  100
80
60
40
20
0
-0.5  -0.25    0
0.25    0.5   0.75    1.0
d
120
I
F
 = 20 mA 
V
CE
 = 10 V
Ta = 25癈
(Center of optical axis)
t
t f
t r
t
0
VCC
RL
0
IL
Relative Light Current vs. Ambi-
ent Temperature Characteristics
(Typical)
Response Time vs. Load Resist-
ance Characteristics (Typical)
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