參數(shù)資料
型號： EDS5116ABTA-6B
廠商： ELPIDA MEMORY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 512M bits SDRAM
中文描述： 32M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54
封裝： PLASTIC, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 1/52頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： EDS5116ABTA-6B
Document No. E0250E10 (Ver. 1.0)
Date Published March 2002 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida Memory, Inc. 2002
PRELIMINARY DATA SHEET
512M bits SDRAM
EDS5104ABTA (128M words
×
4 bits)
EDS5108ABTA (64M words
×
8 bits)
EDS5116ABTA (32M words
×
16 bits)
Description
The EDS5104AB is a 512M bits SDRAM organized as
33,554,432 words
×
4 bits
×
4 banks. The EDS5108AB
is a 512M bits SDRAM organized as 16,777,216 words
×
8 bits
×
4 banks. The EDS5116AB is a 512M bits
SDRAM organized as 8,388,608 words
×
16 bits
×
4
banks. All inputs and outputs are referred to the rising
edge of the clock input. It is packaged in standard 54-
pin plastic TSOP (II).
Features
3.3V power supply
Clock frequency: 166MHz/133MHz (max.)
LVTTL interface
Single pulsed /RAS
4 banks can operate simultaneously and
independently
Burst read/write operation and burst read/single write
operation capability
Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, full page
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page)
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)
Programmable /CAS latency (CL): 2, 3
Byte control by DQM
: DQM (EDS5104AB, EDS5108AB)
: UDQM, LDQM (EDS5116AB)
Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
Pin Configurations
/xxx indicates active low signal.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
54-pin TSOP
(Top view)
VDD
DQ0
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
DQ3
VSSQ
NC
VDD
NC
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
DQ7
VSSQ
NC
DQ6
VDDQ
NC
DQ5
VSSQ
NC
DQ4
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VDD
NC
VDDQ
NC
DQ0
VSSQ
NC
NC
VDDQ
NC
DQ1
VSSQ
NC
VDD
NC
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
VSS
NC
VSSQ
NC
DQ3
VDDQ
NC
NC
VSSQ
NC
DQ2
VDDQ
NC
VSS
NC
DQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
X 8
X 4
X 16
Address input
Bank select address
Data-input/output
Chip select
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
A0 to A12,
BA0, BA1
DQ0 to DQ15
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Input/output mask
Clock enable
Clock input
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
Power for DQ circuit
Ground for DQ circuit
No connection
DQM
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDS5116ABTA-75 512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-7A 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-6B RP15 (F) Series - Powerline Regulated DC-DC Converters; Input Voltage (Vdc): 12V; Output Voltage (Vdc): 12V; 2:1 Wide Input Voltage Range; 15 Watts Output Power; 1.6kVDC Isolation; UL Certified; Fixed Operating Frequency; Six-Sided Continuous Shield; Standard 50.8 x25.4x10.2mm Package; Efficiency to 88%
EDS5108ABTA-6B 512M bits SDRAM
EDS5104ABTA-75 512M bits SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDS5116ABTA-75 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
EDS5116ABTA-7A 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits SDRAM
EDS51321DBH-6DTS-F 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range)
EDS51321DBH-7BTS-F 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range)
EDS51321DBH-TS 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512M bits Mobile RAM? WTR (Wide Temperature Range)
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