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參數資料
| 型號： | EDS2532CABH-75L-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| 中文描述： | 8M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-90 |
| 文件頁數： | 1/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 578K |
| 代理商： | EDS2532CABH-75L-E |
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Document No. E0395E40 (Ver. 4.0)
Date Published October 2004 (K) Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida Memory, Inc. 2003-2004
DATA SHEET
256M bits SDRAM
EDS2532CABH (8M words
×
32 bits)
Description
The EDS2532CABH is a 256M bits SDRAM organized
as 2,097,152 words
×
32 bits
×
4 banks. All inputs and
outputs are synchronized with the positive edge of the
clock.
It is packaged in 90-ball FBGA.
Features
2.5V power supply
Clock frequency: 133MHz/100MHz (max.)
Single pulsed /RAS
×
32 organization
4 banks can operate simultaneously and
independently
Burst read/write operation and burst read/single write
operation capability
Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8 and full
page
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8, full page)
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)
Programmable /CAS latency (CL): 2, 3
Byte control by DQM
Address
4K Row address /512 column address
Refresh cycles
4096 refresh cycles/64ms
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
FBGA package with lead free solder (Sn-Ag-Cu)
Pin Configurations
/xxx indicate active low signal.
DQ26
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ28
VSSQ
VSSQ
VDDQ
VSS
A4
A7
CLK
DQ24
VDDQ
DQ27
DQ29
DQ31
DQM3
A5
A8
CKE
VSS
VSSQ
DQ25
DQ30
NC
A3
A6
NC
A9
VDD
VDDQ
DQ22
DQ17
NC
A2
A10
NC
BA0
DQ23
VSSQ
DQ20
DQ18
DQ16
DQM2
A0
BA1
/CS
DQ21
DQ19
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VDD
A1
A11
/RAS
(Top view)
DQM1
NC
NC
/CAS
/WE DQM0
VDDQ DQ8
VSS
VDD
DQ7 VSSQ
VSSQ DQ10 DQ9
DQ6
DQ5 VDDQ
VSSQ DQ12 DQ14
DQ1
DQ3 VDDQ
DQ11 VDDQ VSSQ
VDDQ VSSQ DQ4
DQ13 DQ15 VSS
VDD
DQ0
DQ2
90-ball FBGA
Address inputs
Bank select address
Data-input/output
Chip select
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
DQ mask enable
Clock enable
Clock input
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
Power for DQ circuit
Ground for DQ circuit
No connection
A0 to A11
BA0, BA1
DQ0 to DQ31
/CS
/RAS
/CAS
/WE
DQM0 to DQM3
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2532EEBH-75 | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532EEBH-75-E | 256M bits SDRAM (8M words x 32 bits) |
| EDS2532AABJ-75 | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| EDS2532AABJ-75-E | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
| EDS2532AABJ-75L-E | 256M bits SDRAM (8M words ?32 bits) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| EDS2532CABJ-1A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532CABJ-1AL-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532CABJ-75-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2532CABJ-75L-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
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