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參數(shù)資料
| 型號： | EDS2516APTA-75TI |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| 中文描述： | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 1/52頁 |
| 文件大小： | 720K |
| 代理商： | EDS2516APTA-75TI |
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Document No. E0677E10 (Ver. 1.0)
Date Published March 2005 (K) Japan
Printed in Japan
URL: http://www.elpida.com
Elpida Memory, Inc. 2005
DATA SHEET
256M bits SDRAM
WTR (Wide Temperature Range)
EDS2516APTA-TI-E (16M words
×
16 bits)
Description
The EDS2516APTA is a 256M bits SDRAM organized
as 4194304 words
×
16 bits
×
4 banks. All inputs and
outputs are referred to the rising edge of the clock
input. It is packaged in 54-pin plastic TSOP (II).
Features
3.3V power supply
Clock frequency: 133MHz (max.)
LVTTL interface
Single pulsed /RAS
×
16 organization
4 banks can operate simultaneously and
independently
Burst read/write operation and burst read/single write
operation capability
Programmable burst length (BL): 1, 2, 4, 8, full page
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1, 2, 4, 8)
Interleave (BL = 1, 2, 4, 8)
Programmable /CAS latency (CL): 2, 3
Byte control by UDQM and LDQM
Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
TSOP (II) package with lead free solder (Sn-Bi)
Wide temperature range
Ambient temperature range: –40 to +85
°
C
Pin Configurations
/xxx indicates active low signal.
1
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3
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6
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8
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15
16
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24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
VSS
NC
UDQM
CLK
CKE
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VDD
DQ0
VDDQ
DQ1
DQ2
VSSQ
DQ3
DQ4
VDDQ
DQ5
DQ6
VSSQ
DQ7
VDD
LDQM
/WE
/CAS
/RAS
/CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
VDD
54-pin plastic TSOP (II)
(Top view)
Address input
Bank select address
Data-input/output
Chip select
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
A0 to A12,
BA0, BA1
DQ0 to DQ15
/CS
/RAS
/CAS
/WE
Input/output mask
Clock enable
Clock input
Power for internal circuit
Ground for internal circuit
Power for DQ circuit
Ground for DQ circuit
No connection
UDQM,LDQM
CKE
CLK
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
NC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDS2516CDTA-75-E | 256M bits SDRAM (16M words x 16 bits) |
| EDS2516APTA-75 | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-75L | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7A | 256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7AL | 256M bits SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDS2516APTA-75TI-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM WTR (Wide Temperature Range) |
| EDS2516APTA-7A | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7A-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7AL | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
| EDS2516APTA-7AL-E | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256M bits SDRAM |
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