參數(shù)資料
型號(hào): EDI4F3632F6M
英文描述: Quad 2-Input NAND Gate with Open Drain; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: Die (Military Visual)
中文描述: x36 EDO公司頁面模式內(nèi)存模塊
文件頁數(shù): 10/12頁
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代理商: EDI4F3632F6M
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PDF描述
EDI4F3632F7M x36 EDO Page Mode DRAM Module
EDI4F3632G6M x36 EDO Page Mode DRAM Module
EDI4F3632G7M x36 EDO Page Mode DRAM Module
EDI784MSV50SI Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: 14-PDIP
EDI784MSV50SM Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: 14-SOIC
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參數(shù)描述
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