型號(hào): | EDI4F3632F6M |
英文描述: | Quad 2-Input NAND Gate with Open Drain; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: Die (Military Visual) |
中文描述: | x36 EDO公司頁面模式內(nèi)存模塊 |
文件頁數(shù): | 10/12頁 |
文件大?。?/td> | 614K |
代理商: | EDI4F3632F6M |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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EDI4F3632F7M | x36 EDO Page Mode DRAM Module |
EDI4F3632G6M | x36 EDO Page Mode DRAM Module |
EDI4F3632G7M | x36 EDO Page Mode DRAM Module |
EDI784MSV50SI | Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: 14-PDIP |
EDI784MSV50SM | Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: 14-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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EDI4F3632F7M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 EDO Page Mode DRAM Module |
EDI4F3632G6M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 EDO Page Mode DRAM Module |
EDI4F3632G7M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 EDO Page Mode DRAM Module |
EDI74341MV-BNC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Intel/Sharp Flash Modules |
EDI784MSV50SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NAND Flash EEPROM |