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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDD2516AKTA-6B-E |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 256M bits DDR SDRAM (16M words x 16 bits) |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | EDD2516AKTA-6B-E |
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EDD2516AKTA-E
Data Sheet E0502E30 (Ver. 3.0)
9
Timing Parameter Measured in Clock Cycle
Number of clock cycle
tCK
6ns
7.5ns
Parameter
Symbol
min.
max.
min.
max.
Unit
Write to pre-charge command delay (same bank) tWPD
4 + BL/2
—
3 + BL/2
—
tCK
Read to pre-charge command delay (same bank) tRPD
BL/2
—
BL/2
—
tCK
Write to read command delay (to input all data)
tWRD
2 + BL/2
—
2 + BL/2
—
tCK
Burst stop command to write command delay
(CL = 2)
tBSTW
—
—
2
—
tCK
(CL = 2.5)
tBSTW
3
—
3
—
tCK
Burst stop command to DQ High-Z
(CL = 2)
tBSTZ
—
—
2
2
tCK
(CL = 2.5)
tBSTZ
2.5
2.5
2.5
2.5
tCK
Read command to write command delay
(to output all data)
(CL = 2)
tRWD
—
—
2 + BL/2
—
tCK
(CL = 2.5)
tRWD
3 + BL/2
—
3 + BL/2
—
tCK
Pre-charge command to High-Z
(CL = 2)
tHZP
—
—
2
2
tCK
(CL = 2.5)
tHZP
2.5
2.5
2.5
2.5
tCK
Write command to data in latency
tWCD
1
1
1
1
tCK
Write recovery
tWR
3
—
2
—
tCK
DM to data in latency
tDMD
0
0
0
0
tCK
Mode register set command cycle time
tMRD
2
—
2
—
tCK
Self refresh exit to non-read command
tSNR
12
—
10
—
tCK
Self refresh exit to read command
tSRD
200
—
200
—
tCK
Power down entry
tPDEN
1
1
1
1
tCK
Power down exit to command input
tPDEX
1
—
1
—
tCK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| EDD2516AKTA-7B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:256M bits DDR SDRAM |
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