分離式半導體產(chǎn)品 SI4210DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4210DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 200 1:$0.77000
25:$0.59520
100:$0.52500
250:$0.45500
500:$0.38500
1,000:$0.30625
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 200 1:$0.77000
25:$0.59520
100:$0.52500
250:$0.45500
500:$0.38500
1,000:$0.30625
SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.25375
5,000:$0.23625
12,500:$0.22750
25,000:$0.21875
SI4210DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 N 溝道（雙）
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 35.5 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 445pF @ 15V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝: 8-SOIC（窄型）
包裝: Digi-Reel®