分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQJ844EP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SQJ844EP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SQJ844EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 0 3,000:$1.08000
SQJ844EP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫歐 @ 10.2A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 15V
功率 - 最大: -
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)