分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 CSD86330Q3D品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

CSD86330Q3D • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
CSD86330Q3D Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 0 1:$2.39000
10:$2.16000
25:$1.93520
100:$1.74000
250:$1.54500
500:$1.35000
1,000:$1.11750
CSD86330Q3D Texas Instruments MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON 0 2,500:$1.01300
5,000:$0.97500
12,500:$0.93800
25,000:$0.92300
62,500:$0.90000
CSD86330Q3D • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 N 溝道（半橋）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 9.6 毫歐 @ 14A，8V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 12.5V
功率 - 最大: 6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-LDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SON（3.3x3.3）
包裝: 剪切帶 (CT)