分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIE836DF-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIE836DF-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 200V POLARPAK 540 1:$2.70000
25:$2.07920
100:$1.88650
250:$1.69400
500:$1.46300
1,000:$1.23200
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8-SOIC 498 1:$2.22000
25:$1.71440
100:$1.55580
250:$1.39700
500:$1.20650
1,000:$1.01600
SIE836DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18.3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 130 毫歐 @ 4.1A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 41nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1200pF @ 100V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?（SH）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-PolarPAK?（SH）
包裝: 剪切帶 (CT)