分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIJ458DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIJ458DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 8-SOIC 498 1:$2.22000
25:$1.71440
100:$1.55580
250:$1.39700
500:$1.20650
1,000:$1.01600
SIJ458DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.2 毫歐 @ 20A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 122nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4810pF @ 15V
功率 - 最大: 69.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: Digi-Reel®