分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR826DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIR826DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK 83 1:$3.33000
25:$2.56520
100:$2.32750
250:$2.09000
500:$1.80500
1,000:$1.52000
SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAK 0 3,000:$1.28250
6,000:$1.23500
15,000:$1.18750
30,000:$1.16375
75,000:$1.14000
SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK 750 1:$3.33000
25:$2.56520
100:$2.32750
250:$2.09000
500:$1.80500
1,000:$1.52000
SIR826DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 40V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)