分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI111N15N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPI111N15N3 G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPI111N15N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3 |
0 |
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| BSD316SN H6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363 |
0 |
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| BSD214SN H6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 |
0 |
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| IPP037N08N3 G E8181 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
0 |
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| IPS110N12N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
0 |
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| BSS816NW L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
0 |
|
IPI111N15N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
150V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
83A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
11.1 毫歐 @ 83A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 160µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
55nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
3230pF @ 75V
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| 功率 - 最大: |
214W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO262-3
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| 包裝: |
管件
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