分離式半導體產(chǎn)品 IPS110N12N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)
IPS110N12N3 G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| IPS110N12N3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
0 |
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| BSS816NW L6327 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
0 |
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IPS110N12N3 G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
標準
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
120V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
75A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
11 毫歐 @ 75A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 83µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
65nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
4310pF @ 60V
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| 功率 - 最大: |
136W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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| 供應商設備封裝: |
PG-TO251-3
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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