| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IPD65R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3 | 2,500 | 2,500:$0.85792 5,000:$0.82615 12,500:$0.79438 25,000:$0.77849 62,500:$0.76260 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 600 毫歐 @ 2.1A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 210µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 440pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 63W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |