分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB023N06N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB023N06N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB023N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 1,000 1,000:$1.40000
2,000:$1.33000
5,000:$1.27500
10,000:$1.24000
25,000:$1.20000
IPB023N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 140A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.3 毫歐 @ 100A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 141µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 198nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 16000pF @ 30V
功率 - 最大: 214W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-7
包裝: 帶卷 (TR)