分離式半導體產品 SIE832DF-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIE832DF-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIE832DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK 750 1:$3.42000
25:$2.79320
100:$2.50800
250:$2.28000
500:$1.99500
1,000:$1.71000
SIE832DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.5 毫歐 @ 14A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3800pF @ 20V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?(S)
供應商設備封裝: 10-PolarPAK?(S)
包裝: 剪切帶 (CT)