分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3460DDV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI3460DDV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 3,000 3,000:$0.13950
6,000:$0.13050
15,000:$0.12150
30,000:$0.11475
75,000:$0.11250
150,000:$0.10800
SUM90N08-6M2P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK 2,148 1:$2.97000
25:$2.29240
100:$2.08010
250:$1.86780
SUM90N08-6M2P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK 800 800:$1.35600
SI3460DDV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫歐 @ 5.1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 666pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)