元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI3464DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP | 2,996 | 1:$0.74000 25:$0.51960 100:$0.44550 250:$0.38476 500:$0.33076 1,000:$0.25650 |
SIB488DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 | 500 | 1:$0.61000 25:$0.42360 100:$0.36300 250:$0.31352 500:$0.26950 1,000:$0.20900 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 8A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 24 毫歐 @ 7.5A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1065pF @ 10V |
功率 - 最大: | 3.6W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-TSOP |
包裝: | 剪切帶 (CT) |