分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3464DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3464DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 2,996 1:$0.74000
25:$0.51960
100:$0.44550
250:$0.38476
500:$0.33076
1,000:$0.25650
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 500 1:$0.61000
25:$0.42360
100:$0.36300
250:$0.31352
500:$0.26950
1,000:$0.20900
SI3464DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 24 毫歐 @ 7.5A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1065pF @ 10V
功率 - 最大: 3.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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