元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SI5424DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 | 3,000 | 3,000:$0.25467 |
SI1499DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V SC-70-6 | 8,442 | 1:$0.75000 25:$0.57800 100:$0.51000 250:$0.44200 500:$0.37400 1,000:$0.29750 |
SI1499DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 8V SC-70-6 | 8,442 | 1:$0.75000 25:$0.57800 100:$0.51000 250:$0.44200 500:$0.37400 1,000:$0.29750 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 24 毫歐 @ 4.8A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 950pF @ 15V |
功率 - 最大: | 6.25W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SMD,扁平引線 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 1206-8 ChipFET? |
包裝: | 帶卷 (TR) |