| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | 1,975 | 1:$7.65000 10:$6.93200 25:$6.35400 100:$5.77640 250:$5.19876 500:$4.76554 |
| IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | 1,000 | 1,000:$3.89907 2,000:$3.75466 5,000:$3.61025 10,000:$3.53805 25,000:$3.46584 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 130A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 6.5 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 270µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 93nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 7300pF @ 75V |
| 功率 - 最大: | 300W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-7，D²Pak（6 引線+接片），TO-263CB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-7 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |