分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4102DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4102DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 2,841 1:$1.10000
25:$0.87000
100:$0.78300
250:$0.68152
500:$0.60900
1,000:$0.47850
SI4102DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.40600
5,000:$0.38570
12,500:$0.36975
25,000:$0.35960
62,500:$0.34800
SI4102DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.8A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 158 毫歐 @ 2.7A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 370pF @ 50V
功率 - 最大: 4.8W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)