分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7621DN-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI7621DN-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI7621DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 0 3,000:$0.23925
6,000:$0.22275
15,000:$0.21450
30,000:$0.20625
75,000:$0.20295
150,000:$0.19800
SI4156DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 5,184 1:$1.03000
25:$0.81000
100:$0.72900
250:$0.63452
500:$0.56700
1,000:$0.44550
SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP 3,000 3,000:$0.37800
6,000:$0.35910
15,000:$0.34425
30,000:$0.33480
75,000:$0.32400
SI7621DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 90 毫歐 @ 3.9A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6.2nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 300pF @ 10V
功率 - 最大: 12.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 帶卷 (TR)