分離式半導體產品 SIB488DK-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIB488DK-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIB488DK-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 0 3,000:$0.17050
6,000:$0.15950
15,000:$0.14850
30,000:$0.14025
75,000:$0.13750
150,000:$0.13200
SIB488DK-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 20 毫歐 @ 6.3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 725pF @ 6V
功率 - 最大: 13W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-75-6L
供應商設備封裝: PowerPAK? SC-75-6L 單
包裝: 帶卷 (TR)