分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI1307EDL-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI1307EDL-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3 0 3,000:$0.17050
6,000:$0.15950
15,000:$0.14850
30,000:$0.14025
75,000:$0.13750
150,000:$0.13200
SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP 0 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
SI1307EDL-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 850mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 290 毫歐 @ 1A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 290mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-3
包裝: 帶卷 (TR)