分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4829DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4829DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 565 1:$0.75000
25:$0.52360
100:$0.44880
250:$0.38760
500:$0.33320
1,000:$0.25840
SI4829DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC 0 2,500:$0.21080
5,000:$0.19720
12,500:$0.18360
25,000:$0.17340
62,500:$0.17000
125,000:$0.16320
SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V SC-70-6 688 1:$0.75000
25:$0.57800
100:$0.51000
250:$0.44200
500:$0.37400
1,000:$0.29750
SI4829DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 二極管（隔離式）
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 215 毫歐 @ 2.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 210pF @ 10V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)