| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | 204 | 1:$11.54000 10:$10.49000 100:$8.91680 250:$8.13008 500:$7.60554 1,000:$6.97612 2,500:$6.68763 5,000:$6.50405 10,000:$6.29424 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 53.5A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 700 毫歐 @ 17.6A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3.5V @ 1.76mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 170nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3900pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 391W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO247-3 |
| 包裝: | 管件 |