分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4190DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4190DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠(chǎng)商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4190DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 3,793 1:$2.77000
25:$2.13320
100:$1.93550
250:$1.73800
500:$1.50100
1,000:$1.26400
SUD45P03-09-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 30V DPAK 3,837 1:$1.45000
25:$1.14320
100:$1.02870
250:$0.89536
500:$0.80010
1,000:$0.62865
SI4190DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.8 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2000pF @ 50V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: Digi-Reel®