分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4636DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4636DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4636DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.67500
5,000:$0.65000
12,500:$0.62500
25,000:$0.61250
62,500:$0.60000
SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK 1,198 1:$4.35000
25:$3.55240
100:$3.19000
250:$2.90000
SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V D2PAK 1,198 1:$4.35000
25:$3.55240
100:$3.19000
250:$2.90000
SI4636DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2635pF @ 15V
功率 - 最大: 4.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)