| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N CH 600V 7A TO-252 | 3,000 | 1:$2.01000 25:$1.62000 100:$1.45800 250:$1.29600 500:$1.13400 1,000:$0.93960 2,500:$0.87480 5,000:$0.84240 |
| SIE854DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V POLARPAK | 5,026 | 1:$4.29000 25:$3.50360 100:$3.14600 250:$2.86000 500:$2.50250 1,000:$2.14500 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 600 毫歐 @ 3.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 680pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 78W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商設備封裝: | D-Pak |
| 包裝: | 散裝 |